Номер детали производителя : | ES1BL R3G |
---|---|
Статус RoHS : | Без свинца / Соответствует RoHS |
Изготовитель / Производитель : | TSC (Taiwan Semiconductor) |
Состояние на складе : | В наличии |
Описание : | DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | ES1BL R3G.pdf |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | ES1BL R3G |
---|---|
производитель | TSC (Taiwan Semiconductor) |
Описание | DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Без свинца / Соответствует RoHS |
Кол-во в наличии | В наличии |
Спецификация | ES1BL R3G.pdf |
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 950mV @ 1A |
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 100V |
Поставщик Упаковка устройства | Sub SMA |
скорость | Fast Recovery = 200mA (Io) |
Серии | - |
Обратное время восстановления (ТИР) | 35ns |
упаковка | Tape & Reel (TR) |
Упаковка / | DO-219AB |
Другие названия | ES1BL R3GTR ES1BL R3GTR-ND ES1BLR3GTR |
Рабочая температура - Соединение | -55°C ~ 150°C |
Тип установки | Surface Mount |
Уровень чувствительности влаги (MSL) | 1 (Unlimited) |
Стандартное время изготовления | 21 Weeks |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Диод Тип | Standard |
Подробное описание | Diode Standard 100V 1A Surface Mount Sub SMA |
Ток - Обратный утечки @ Vr | 5µA @ 100V |
Текущий - средний выпрямленный (Io) | 1A |
Емкостной @ В.Р., F | 10pF @ 4V, 1MHz |
DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA
DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA
DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA
DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA
DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA
DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA
DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA
DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA
DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA
DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA